Thea C520一款专门为识别碳化硅衬底和外延缺陷设计的检测系统。该检测系统具备强大的多检测通道，采取了暗场、明场、表面斜率变化、相位、光致发光这5种互补的检测技术，能够对多种缺陷进行精细分类，例如Scratch、Particle、Pits,衬底晶圆上的堆垛层错、微管，外延生长后的基平面错位（BPDs）、Carrot、Triangle、SF，Step Bunching等。该检测系统还具有分析工具, 生成全面的检查报告，能够帮助制造商敏锐捕捉工艺相关问题，识别并分类这些影响良率的缺陷。
性能指标：
技术参数
性能指标
灵敏度
60nm @PSL on Si
重复性
<=5%
可测晶圆尺寸
4，6，8inch
可测晶圆厚度
标准厚度，其他任意厚度（待测试）
产率：
晶圆尺寸
标准产率
高产率
4
>15WPH
>30WPH
6
>10WPH
>20WPH
8
>7WPH
>14WPH
检测范围:
晶圆类型
缺陷类型
SiC
Micro Pipe，SF，Particle，Pits，Scratch，Stain
SiC Epi
BPD，SF，BSF，Carrot，Triangle，Pit Triangle，Downfall，Step Bunching
